Mediante la técnica de fotorreflectancia (FR) con láseres desfasados 180° es posible realizar un estudio selectivo de la superficie y de la interfase de una heteroestructura. Controlando adecuada-mente las intensidades relativas de los láseres mediante filtros de densidad neutra y las longitudes de onda empleadas en la modulación es posible seleccionar la región a estudiar en heteroestructu-ras. La modulación de las bandas se realiza con laseres cuya energía del fotón es igual o mayor que la brecha prohibida del semiconductor. Para mostrar las fortalezas de este tipo de técnica, se realizaron estudios en heteroestructuras de ZnSe/GaAs y CdTe/GaAs crecidas por medio de MBE (Molecular Beam Epitaxy). Es posible modular la interfase o regiones cercanas a la superficie o la interfase a pesar de que la longitud de penetración es pequeña comparada con el espesor de las pe-lículas, esto se debe a que la calidad de la misma permite difusión de los portadores de la película hacia el substrato modulando las respectivas bandas.

By means of photoreflectance technique it is possible to carry out a selective study of the surface and interface in a heterostructure with 180° phased lasers. Controlling the relative intensities of the lasers appropriately by neutral density filters and the wave lengths employing in the modulation it is possible to select the region to be studied in the heteroestructure. The bands modulations is ma-de when the photon energy is the same or larger that the semiconductor band gap. To show the importance of this kind of technique, there were carried out studies in the ZnSe/GaAs and CdTe/GaAs heterostructures grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE). It is possible to modulate the interface or regions near to the surface or the interface dispite of the fact that the penetration lenght is smaller than the film thickness; this is because the sample quality of the film lets diffu-sion of the film carriers to the substrate modulating the repective bands.