Por medio de la técnica de fotorreflectancia en el Infrarrojo cercano (FR-IR) se realizó el estudio zonal en la superficie de dos películas de Ga 1-X In X As Y Sb 1-Y fabricadas por la técnica de epitaxia en fase líquida. Las muestras AS12 y M45TQ fueron crecidas a 529 °C y 530 °C respectivamente, sobre sustratos de GaSb:Te con orientación cristalográfica (100), a partir de dos soluciones que difieren levemente en el contenido de As. Los espectros fueron tomados a una temperatura de 12 K para diferentes posiciones espaciales en la superficie de las películas y analizados con expresiones reportadas extensamente en la literatura especializada. De los respectivos análisis se obtuvieron para cada una de las muestras las dependencias de las energías de transición y los parámetros de ensanchamiento con la posición espacial. En este trabajo también se presenta el estudio comparativo de la respuesta óptica de cada material, logrando identificar las zonas espaciales en las cuales las muestras exhiben mayor densidad de defectos.

We presented a zonal study by near-infrared photoreflectance (IR-PR) of two Ga 1-X In X As Y Sb 1-Y films grown by liquid phase epitaxy technique (LPE). The AS12 and M45TQ samples were grown over (100) GaSb:Te substrates, at 529 ºC and 530 ºC , respectively, from two solutions with different As content. The photoreflectance spectra were measured at 12K for different spatial positions on the film surface. The dependences of the transition energy and broadening parameter with the spatial position were obtained for each of the samples from the corresponding IR-PR spectra analyses. In order to identify the zones with greater defect density in this work we presented a comparative study of the optical response on both samples .