Se empleó la técnica de depósito por baño químico, CBD, para la obtención de películas de CdSe sobre sustratos de vidrio portaobjetos de microscopio. Se reportan los resultados de caracterización por XRD y SEM de películas obtenidas a diferentes condiciones de Temperatura (20 y 60ºC ) y tiempo de depósito (3 y 74 h). Las películas se ajustan a un patrón de difracción para CdSe en fase cúbica, con planos de orientación 111, 220 y 311. El parámetro de red de estas películas es de 5.997 Å a 20ºC y 6.001 Å a 60ºC , los cuales son comparables con el parámetro para el patrón de CdSe reportado por la JCPDS (6.075 Å). El tamaño de grano promedio para las películas obtenidas a temperatura ambiente y a 60ºC es de 680 nm y 805 nm respectivamente

Chemical bath deposition, CBD, was used to prepare CdSe semiconductor thin films on commercial microscope glass slides. CdSe films deposited at different conditions of temperature (20 and 60ºC) and deposition time (3 and 74 h) were characterized by X-Ray Diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). XRD patterns shown CdSe films in a simple cubic phase with peaks indexed as 111, 220 and 311. Cubic lattice parameters were 5.997 Å and 6.001 Å for films grown at 20ºC and 60ºC respectively, which are agreed with CdSe standard pattern reported by JCPDS (6.075 Å). Average grain sizes were 680 and 805 nm, respectively.