En este trabajo se estudia, empleando el método de las cuatro puntas de Van der Pauw, el tipo y la concentración de portadores de una serie de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y, fabricadas por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida, sobre sustratos monocristalinos de GaSb:Te (100). Se encontró que las muestras son tipo n con una alta densidad de portadores. Así mismo, se tomaron curvas I-V para contactos eléctricos de Au y de Ag, observándose un comportamiento no lineal en ambos casos, característico de un contacto bloqueante o barrera Schottky. Las mejores características como dispositivo Schottky, fueron exhibidas por el contacto de Ag.

Palabras Clave: Semiconductores cuaternarios, Epitaxia en Fase Líquida

By means of the Van der Pauw method we found the sign and the Hall carrier density of a set of Ga1-xInxAsySb1-y films. The samples were grown by Liquid Phase Epitaxy technique over single crystal GaSb:Te (100) substrates. All samples presented in this work were found to be n-type, and the calculated volume densities show strongly doped films. The characteristic I-V curves have a non linear behavior, for both Ag and Au electric contacts. The line shape is typical of Schottky barrier, been Ag a better option for the Schottky device.

Keywords : Quartenary semiconductors, Liquid Phase Epitaxy.