En el estudio de dispositivos semiconductores tales como diodos y transistores, es importante ana-lizar las características de corriente y voltaje de estos, con el propósito de identificar valores eléc-tricos típicos propios del funcionamiento de los mismos. En este trabajo se realiza una compara-ción de los voltajes de ruptura obtenidos de las curvas experimentales de I-V, de diodos tipo schottky con dos tipos de estructuras, la primera con un contacto rectificante entre silicio cristali-no tipo p y plata metálica; y la segunda una estructura similar a la anterior, a diferencia de que en esta se reemplazó la capa de oxido nativo presente entre el contacto rectificante, por una capa de silicio poroso. Se presentan los resultados obtenidos y una discusión de los mismos.

Palabras claves: Diodos, schottky, silicio poroso, voltaje de ruptura.

In the study of semiconductor devices such as diodes and transistors, it is important to analyze the characteristics of current and voltage of these, in order to identify own electrical typical values of operation. In this work is obtained a comparison of rupture voltages analyzing experimental I-V curves of diodes type schottky with two types of structures, first with a rectifier contact between crystalline silicon type p and metallic silver; and second structure similar to the previous one, unlike that in this the layer of native oxide present between the rectifier contact was replaced by a layer of porous silicon. Are present the results obtained and a discussion of this.

Keywords: Diodes, schottky, porous silicon.