Se estudió por medio de la técnica de fotorreflectancia la dependencia con la temperatura de la energía de la transición fundamental E0 y el parámetro fenomenológico de ensanchamiento 0, en muestras cuaternarias de GaInAsSb. Las muestras estudiadas fueron fabricadas por medio de la técnica de epitaxia en fase líquida. La dependencia de la transición E0 con la temperatura se ajusto empleando varias formas funcionales ampliamente reportadas en la literatura para este material. Por otro lado, el parámetro 0 exhibe un aumento y dependencia acorde a la expresión de Einstein. Se estudia y propone el uso de diferentes modelos de ajuste a los espectros experimentales, con el fin de determinar la dependencia de estos parámetros con la temperatura.

Palabras claves : Epitaxia en fase líquida, fotorreflectancia, GaInAsSb

In this work we present the temperature dependence of the band gap energy transition E0 and the broadening parameter Г0, studied by the photoreflectance (PR) technique in GaInAsSb films grown by the liquid phase epitaxy technique (LPE). The dependence of the transition Eo was fitted using expressions widely reported in the specialized literature for this material. On the other hand, the parameter Г0 was described by the Bose-Einstein type equations. We studied and propose the use of different models to fit the experimental spectra, with the purpose of determine the depen-dence with the temperature of these parameters.

Keywords : LPE, Photoreflectance, GaInAsSb.