En este trabajo se estudió la tasa de decapado químico con soluciones ácidas en películas epitaxia-les de Ga1-xInxAsySb1-y, fabricadas por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida, mediante la medi-ción de los espesores a diferentes tiempos de ataque químico. Así mismo, se midió la respuesta óp-tica de las películas por fotoluminiscencia y se determinó su variación con el tiempo de decapado, observándose un cambio en la intensidad relativa de los picos y un corrimiento en energía asociado a la remoción de las capas más superficiales debidas a la formación de óxidos. Se realizaron prue-bas en sustratos de GaSb para seleccionar el mejor material para enmascarar su superficie, lográn-dose determinar la razón de ataque en este sustrato.

Palabras clave. Epitaxia en Fase Líquida, Fotoluminiscencia, decapado químico.

Ga1-xInxAsySb1-y epitaxial films grown by Liquid Phase Epitaxy were etched by using an acid solution during different dipping times. The etching rate was obtained by means of thickness measurements for different wetting times. The optical response and its variation with etching were measured by photoluminescence technique. The differences in the energy position of optical re-sponse for the different etching times were associated to the removal of the most superficial oxide layers. We found a good material to cover the substrate surface to obtain the etching rate.

Keywords: Liquid Phase Epitaxy, Etched, photoluminescence .