Usando un procedimiento variacional dentro de la aproximación de masa efectiva, hemos hecho un estudio teórico de los efectos de un campo eléctrico aplicado sobre la energía de enlace de una im-pureza donadora poco profunda en un hilo cuántico de GaAs-(Ga,Al)As de sección transversal cuadrada. El campo eléctrico es aplicado en plano de la sección transversal del hilo y se conside-ran diferentes direcciones angulares. Para la barrera potencial que define la región del hilo hemos consideramos un modelo finito en la dirección x, y un modelo infinito en la dirección y. Los resul-tados que presentamos son para algunos valores de la dimensión de la sección transversal del hilo, diferentes valores del campo eléctrico aplicado y diferentes orientaciones sobre la sección trans-versal del hilo. Para los casos límite, nuestros resultados reproducen aquellos del pozo cuántico finito e infinito.

Palabras claves: hilo cuántico de GaAs-(Ga,Al)As, impureza donadora

Using a variational procedure within the effective-mass approximation, we conducted a theoretical study of the effects of applied electric fields on the binding energy for a shallow-donor impurity in rectangular-transversal section GaAs-(Ga,Al)As quantum-well wires. The electric field is applied in a plane of the transversal section of the wire and many angular directions are considered. For the potential barrier, defining the wire region we considered an x-dependent finite and y-dependent infinite model. The results we present are for some values of the wire dimensions, applied electric field, and its angular dependence. For the limiting cases, we reproduce the finite and infinite quan-tum well results.

Keywords: GaAs-(Ga,Al)As quantum-well wires, shallow-donor impurity