Se crecieron películas de carbón sobre substratos de Silicio por la técnica de HFCVD (Hot Fila-ment Chemical Vapor Deposition) y la caracterización estructural se realizó por medio de Espec-troscopia de Fotoelectrones generados por Rayos X (XPS). El análisis de las regiónes, C1s, Banda de Valencia y la región de los picos Si2p1, Si2s, y O1s respectivamente indican que la estructura de carbón depositada es del tipo DLC (Diamond Like Carbón), debido a la relaccion de intensidades entre los picos correspondientes a las hibridaciones sp2 y sp3. La información brindada por las energías de enlace de Si2p1 Si2s, y O1s nos permite detectar la presencia de SiO2 en la fase inter-media del crecimiento.

Palabras claves: Hot Filament Chemical Vapor Deposition , XPS, Carbono tipo diamante.

Carbon films were grown on Si substrates by the Hot Filament Chemical Vapor Deposition tech-nique (HFCVD), the structural characterization was made by means of X-ray Photoemission Spec-troscopy (XPS). The C1s, the valence band, and Si2p1, Si2s and O1s regions were analyzed. Hy-bridization sp2 and sp3 was found in both the valence band and the C1s region. The sp2 / sp3 ratio is indicative of the presence of a diamond-like carbon (DLC) structure. The information given by the Si2p1, Si2s, and O1s bond energies allows us to detect the presence of SiO2 in the intermediate growth phases.

Keywords: Hot Filament Chemical Vapor Deposition , XPS, Diamond Like Carbon.