Presentamos los resultados obtenidos del estudio por medio de la técnica de fotorreflectancia (FR) a temperatura variable de la película CdTe depositada sobre GaAs por epitaxia de haces moleculares ( Molecular Beam Epitaxy, MBE ). La película de CdTe se depositó sobre un substrato de GaAs semiaislante en la dirección (100) y fué crecida a 275 K. El espesor del CdTe es de 1 m m. Se realizaron medidas de FR a temperaturas comprendidas entre 12 y 300K empleando un láser de HeNe como fuente de modulación. Se realizaron los ajustes de las curvas obtenidas con diferentes modelos y se analizó la dependencia con la temperatura de la energía de la transición fundamental E 0 de CdTe empleando la ecuación de Varshni. Se observa la contribución de dos señales a la forma de línea de la FR , los ajustes de tercera derivada indican que estas señales obedecen a desdoblamiento de la banda de valencia en huecos livianos y huecos pesados producidos tanto por los esfuerzos remanentes que permanecen aun después de pasar por el espesor crítico ( ~ 6 Å), como por las diferencias en los coeficientes de dilatación térmica.
