Se realizaron medidas de curvas características de corriente-voltaje ( I-V ) a diferentes temperaturas en condensadores ferroeléctricos basados en películas delgadas de Pb(Zr 0.52 Ti 0.48 )O 3 (PZT) con electrodos inferiores de SrRuO3 (SRO) y electrodos superiores de platino (Pt). Los electrodos de SRO se depositaron sobre substratos de SrTiO 3 (100) utilizando la técnica Sputtering DC a alta presión de oxigeno. La película de PZT fue crecida utilizando la técnica de magnetrón sputtering RF en oxígeno puro. Las medidas de histéresis P-E de condensadores de diferentes áreas, de 5.0 x10^-4 cm² a 6.5x10^-3 cm² y con un espesor de 40 nm, mostraron un claro comportamiento histerético con polarización remanente alrededor de 30 mC/cm² a temperatura ambiente. A partir de las curvas I-V se obtuvo medidas de conductancia, las cuales mostraron una dependencia parabólica respecto al voltaje de polarización indicando tunelamiento electrónico.

We have realized measurements of characteristic curves of current-voltage ( I-V ) at different temperatures on ferroelectric capacitors based on Pb(Zr 0.52 Ti 0.48 )O 3 (PZT) thin films with lower electrodes of SrRuO 3 (SRO) and upper electrodes of platinum (Pt). The SRO electrodes were deposited on (100) SrTiO 3 substrates by a dc-sputtering technique at high oxygen pressures. For PZT film growth we have used an rf-magnetron sputtering technique in pure oxygen. The P-E hysteresis curves of capacitors at different areas, from 5.0 x10^-4 cm² to 6.5x10^-3 cm² and with a thickness of 40 nm, showed a clear hysteretic behavior with remanent polarization around of 30 mC/cm² at room temperature. From the I-V curves we have calculated the conductance, which have showed a parabolic dependence with the polarization voltage indicating electronic tunneling.