Empleando la técnica de fotorreflectancia en el infrarrojo cercano (FR-IR) se realizó la caracteri-zación óptica de un monocristal de GaSb y dos películas epitaxiales de Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y/GaSb. Los espectros de fotorreflectancia fueron tomados en el rango de temperaturas de 12K a 200K y analizados con expresiones ampliamente reportados en la literatura especializada. De los respecti-vos análisis se obtuvieron para cada una de las muestras la dependencia de la energía de transición interbanda [Eo(T)] y el parámetro de ensanchamiento [Go(T)] con la temperatura. En este trabajo también se presenta el estudio comparativo entre las propiedades ópticas de cada material, obte-niéndose el valor de la energía interbanda Eo(T=0K) e identificando el principal proceso dispersivo en las películas del cuaternario.

Using the near infrared photoreflectance technique (IR-PR) was carried out the optical characteri-zation of a GaSb sample and two epitaxial films of Ga_1-xIn_xAs_ySb_1-y (lattice matched to GaSb). The photoreflectance spectra were measured in the range of temperatures from 12K to 200K and analyzed with equations broadly reported in the specialized literature. The temperature dependence of the energy transition [Eo(T)] and the broadening parameter [Go(T)] were obtained by each one of the samples. In this work, also, we present the optical properties’ comparative study of the sam-ples, we obtained the energy bandgap value for Eo(T=0K) and we identified in the quaternary films the main dispersive process.