La incorporación de un óxido a la matriz de un segundo produce cambios en las propiedades superficiales del sistema inicial, así como modificaciones en la estructura electrónica del material; de hecho, la recombinación de portadores de cargas en un material semiconductor se ve modificada por la incorporación de otro elemento a la red del semiconductor. El óxido mixto ZrO₂-SiO₂ fue preparado empleando el método sol gel de precipitación seguido de diversos tratamientos térmicos. Los materiales así obtenidos fueron caracterizados por diversas técnicas encontrándose que la textura, estructura y morfología de estos sistemas está fuertemente condicionada no sólo por el método de preparación sino por los tratamientos de calcinación.

The incorporation of an oxide to the matrix of another one produces changes in the superficial properties of the initial system, as well as modifications in the electronic structure of the material. In fact, the recombination of charge carriers in a semiconductor material is modified by the incor-poration of another element to the semiconductor network. The mixed oxide ZrO₂-SiO₂ was pre-pared using the sol gel method of precipitation followed by diverse thermal treatments. So obtai-ned materials were characterized by diverse techniques and it was found that the texture, structure and morphology of these systems is strongly conditioned by the preparation methods and the cal-cination treatments.