| INFLUENCIA DEL VOLTAJE DE POLARIZACIÓN
DEL SUSTRATO (BIAS), EN LA ESTRUCTURA CRISTALOGRÁFICA DE RECUBRIMIENTOS
DE TI6AL4V, REALIZADOS MEDIANTE MAGNETRÓN RF |
| J. E. Alfonso, F. Pacheco, C. Moreno, R. Garzón,
J. Torres |
En este trabajo, se presentan los resultados
obtenidos en el crecimiento de películas delgadas de Ti6Al4V,
sobre sustratos de vidrio y Acero AISI 420, mediante la técnica
magnetrón rf bias. Las láminas obtenidas a partir
de un blanco de Ti6 Al4 V se depositaron a una presión
final de 3x10-3 mbar en una atmósfera de Ar y a una potencia
incidente de 500 W, se tomo como parámetro de estudio el
voltaje de polarización inversa del sustrato, el cual se
hizo variar desde -100 V hasta -200 V.
El estudio estructural y morfológico de las láminas,
realizado a través de los resultados de difracción
de rayos X y microscopia electrónica de barrido (SEM) muestran,
en los dos sustratos, que a medida que se aumenta el voltaje de
polarización inversa sobre el sustrato las láminas
presentan planos (hkl) con orientaciones preferenciales.
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In this work, the results are presented obtained
in the growth of thin films of Ti6Al4V, on glass substratum and
Steel AISI 420, by means of the technical magnetron rf bias. The
films obtained starting from a target of Ti6Al4V were deposited
to a final pressure of 3x10-3 mbar in an atmosphere of Ar and
to an incident power of 500 W, we take as study parameter the
voltage of inverse polarization of the substratum, which was varing
from -100 V up to -200 V.
The structural study and morphology of the films, carried out
through the results of X-rays diffraction (XRD) and scanning electronic
microscopy (SEM) they show, in the two substratum that as you
increase the voltage of inverse polarization on the substratum
the films they present planes (hkl) with preferential orientations.
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