Resumenes Vol. 35 No.1 de 2003 | Materia Condensada
 
INFLUENCIA DEL VOLTAJE DE POLARIZACIÓN DEL SUSTRATO (BIAS), EN LA ESTRUCTURA CRISTALOGRÁFICA DE RECUBRIMIENTOS DE TI6AL4V, REALIZADOS MEDIANTE MAGNETRÓN RF
J. E. Alfonso, F. Pacheco, C. Moreno, R. Garzón, J. Torres
Resumen

En este trabajo, se presentan los resultados obtenidos en el crecimiento de películas delgadas de Ti6Al4V, sobre sustratos de vidrio y Acero AISI 420, mediante la técnica magnetrón rf bias. Las láminas obtenidas a partir de un blanco de Ti6 Al4 V se depositaron a una presión final de 3x10-3 mbar en una atmósfera de Ar y a una potencia incidente de 500 W, se tomo como parámetro de estudio el voltaje de polarización inversa del sustrato, el cual se hizo variar desde -100 V hasta -200 V.
El estudio estructural y morfológico de las láminas, realizado a través de los resultados de difracción de rayos X y microscopia electrónica de barrido (SEM) muestran, en los dos sustratos, que a medida que se aumenta el voltaje de polarización inversa sobre el sustrato las láminas presentan planos (hkl) con orientaciones preferenciales.


Abstract

In this work, the results are presented obtained in the growth of thin films of Ti6Al4V, on glass substratum and Steel AISI 420, by means of the technical magnetron rf bias. The films obtained starting from a target of Ti6Al4V were deposited to a final pressure of 3x10-3 mbar in an atmosphere of Ar and to an incident power of 500 W, we take as study parameter the voltage of inverse polarization of the substratum, which was varing from -100 V up to -200 V.
The structural study and morphology of the films, carried out through the results of X-rays diffraction (XRD) and scanning electronic microscopy (SEM) they show, in the two substratum that as you increase the voltage of inverse polarization on the substratum the films they present planes (hkl) with preferential orientations.

 
Formatos Disponibles: Pdf
Home | Volúmenes | Búsqueda