Películas delgadas de óxido de zinc (ZnO) dopadas con aluminio fueron crecidas sobre un subs-trato de zafiro (Al2O3) por la técnica de deposición por láser pulsado con diferentes concentra-ción de aluminio. Las películas delgadas fueron crecidas a una temperatura de 750ºC y a una presión de 1mTorr en oxigeno, obteniéndose una películas preferencialmente orientadas en el eje-c y una transparencia de (80%). La película fue caracterizada usando difracción de rayos X y los efectos del ZnO dopado con Al fueron investigados por espectroscopia de rayos X fotón electrón (XPS). El espectro XPS indica una baja presencia de componentes hidróxido. El in-cremento del Al cambia el esfuerzo de tensión a compresión de acuerdo a las medidas del pa-rámetro c. La máxima concentración de portadores medido fué de 4x1019 cm-3 y una movilidad de 49 cm2/V-s para el 1% de concentración de Al. Sin embargo, la resistividad se incrementó con el aumento de concentración de Al. Un aumento en la brecha de banda fue observado con el incremento de la concentración de Al, el cual se le atribuye a un desplazamiento de Burstein-Moss como también a el esfuerzo en la película.

Thin films of Al doped ZnO were grown on Al2O3 by pulsed laser deposition technique with different Al concentrations. Highly c-axis oriented and transparent (80%) thin films were ob-tained at 750ºC growth temperature and 1 mTorr of O2 pressure. The surface morphology shows a doping effect. The effects of Al doped ZnO films were investigated by x-ray photo-electron spectroscopy (XPS). The XPS spectra indicate low presence of hydroxides compo-nents. Increase of Al doping changes the stress in the ZnO films from tensile to compressive as measured from c-parameter. The maximum carrier concentration 4x1019 cm-3 and mobility 49 cm2/V-s for 1% Al doping were measured. However, the resistivity increased with increase in Al concentration. The band gap was observed to increase with increase of Al doping may be at-tributed to Burstein-Moss shift as well as the stress in the films.