La preparación previa de la superficie de los substratos es de vital importancia para obtener pe-lículas de alta calidad, generalmente se usan tratamientos químicos ex-situ y luego cuando se introducen los substratos a la cámara reactor, estos son sometidos al tratamiento térmico in-situ correspondiente en un ambiente de ultra-alto vacío (10-11torr). Los substratos de GaAs al estar expuestos al medio ambiente, se contaminan con la húmeda (H2O), carbono y el oxigeno que forman una capa de óxidos superficial que debe ser removida. El tratamiento químico emplea-do fue el de H2SO4 en una relación de volumen 3:1:1 de H2SO4: H2O2:H2O. La señal de Foto-luminiscencia (FL) muestra que para substratos tratados químicamente la emisión excitónica es mayor. El análisis de los puntos críticos E0, E0+?0 y E1 de la señal de Fotorreflectancia FR muestran que estos se hacen mas apreciables en substratos tratados químicamente, indicando que se han removido los óxidos, de tal manera que han disminuido los centros de recombina-ción no radiativos.

PACS: 81.15.H; 78.66; 61.14.H; 78.55; 73.61.J
Keywords: Photoreflectance, optical characterization, Electronic Materials, GaAs.