| ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES TÉRMICAS
Y DE TRANSPORTE DEL SEMICONDUCTOR TERNARIO Cd1-xZnxTe |
| J. J. Prías-Barragán, L. Tirado-Mejía,
J. Segura y H. Ariza-Calderón |
Utilizando la técnica
de fotoacústica en la configuración de celda abierta,
se obtuvieron espectros de la señal fotoacústica en
función de la frecuencia de modulación de la radiación
incidente, a partir de los cuales se determinó la difusividad
térmica y su dependencia con la concentración de Zn
en monocristales de Cd1-xZnxTe. La concentración de Zn de
las muestras estudiadas varía de 1.55% a 7.11% de fracción
molar, y fueron obtenidas de un único lingote crecido por
el método de Bridgman. De los análisis de la dependencia
de la fase con la frecuencia se determinaron parámetros asociados
a las propiedades de transporte en la superficie. |
Using the photoacoustic open
cell technique, we obtained spectra of the photoacoustic signal
amplitude as a function of the modulation frequency of the incident
radiation. From these spectra we determined the Zn concentration
dependence of the thermal diffusivity in Cd1-xZnxTe crystals. The
Zn concentration of the studied samples varies from 1.55% to 7.11%
in molar fraction, and they were obtained from a single ingot grown
by the Bridgman method. From the analysis of the frequency dependence
of the photoacoustic signal phase, we determined some parameters
associated to the transport properties in the surface. |
| |
|